[发明专利]相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法有效
| 申请号： | 201610178596.3 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105869671B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王月青;蔡道林;陈一峰;宋志棠;魏宏阳;霍如如 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生的非晶区域；S2：采用擦脉冲将所述相变存储器单元操作至低阻状态，使所述初始化写脉冲形成的非晶区域转化为面心立方晶粒区域；S3：采用默认写脉冲操作所述相变存储器单元。其中，在一次初始化后，可进一步验证初始化效果，并根据需要选择是否需要再次初始化。本发明使用初始化写脉冲，对阵列各单元的FCC晶粒区域进行控制，可以有效提高阵列平均写电阻，降低写电流，同时使得相变存储阵列的电阻分布更加集中。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 初始化 方法 及其 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器单元的写初始化方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；其中，所述非晶区域大于所述相变存储器单元未进行所述初始化写脉冲操作，而作为对比直接采用默认写脉冲操作所述相变存储器单元所产生的非晶区域；S2：采用擦脉冲将所述相变存储器单元操作至低阻状态，使所述初始化写脉冲形成的非晶区域转化为面心立方晶粒区域；S3：采用所述默认写脉冲操作所述相变存储器单元；S4：测量所述相变存储器单元的写电阻R1，并与未进行所述初始化写脉冲操作，而作为对比直接采用所述默认写脉冲操作所述相变存储器单元的写电阻R0进行比较，若满足R1>R0，则初始化完成。
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