[发明专利]具有含锗的释放层的III-V族化合物和锗化合物纳米线悬置有效
| 申请号： | 201610170232.0 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106024714B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | G·M·科恩;I·劳尔;A·雷兹奈斯克;J·W·斯莱特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种器件包括：衬底层；限定nFET(n型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第一集合；限定pFET(p型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第二集合；第一悬置纳米线，至少部分地悬置在nFET区域中的衬底层之上并且由III‑V族材料制成；以及第二悬置纳米线，至少部分地悬置在pFET区域中的衬底层之上并且由含锗材料制成。在一些实施例中，通过在含锗的释放层的顶部上添加合适的纳米线层并且随后移除含锗的释放层以使得纳米线悬置而制造第一悬置纳米线和第二悬置纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 释放 iii 化合物 纳米 悬置 | ||
【主权项】：
1.一种至少部分地制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供第一子组件，所述第一子组件包括衬底层、形成在所述衬底层的顶表面的至少一部分上的含锗的层、位于所述含锗的层的顶表面的一部分上的III‑V族材料纳米线层、位于所述含锗的层的顶表面的一部分上的硅‑锗SiGe纳米线层；以及通过移除所述含锗的层将所述第一子组件精炼为第二子组件，从而：(i)所述III‑V族材料纳米线层至少部分地悬置在所述衬底层上方，以及(ii)所述SiGe纳米线层至少部分地悬置在所述衬底层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
