[发明专利]一种基于硅通孔结构的金属填充方法及硅通孔结构在审
| 申请号： | 201610170209.1 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105679703A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 云世昌;焦斌斌;王桂磊;孔延梅;张乐民;俞利民;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及三维集成电路技术领域，尤其涉及一种基于硅通孔结构的金属填充方法及硅通孔结构，所述方法包括：当承载衬底和顶硅片键合后，在所述顶硅片上刻蚀硅通孔；向所述硅通孔内顺次淀积绝缘层和阻挡层；在所述阻挡层的表面利用原子层淀积方式淀积金属种子层；在所述金属种子层的表面淀积金属导体层。本发明通过在阻挡层和金属导体层之间增加金属种子层，能够避免导体断层所带来的电路断路，同时，以原子层淀积方式实现金属种子层的淀积无论对任何形貌都具有良好的表面覆盖性，保证阻挡层的表面能够完全覆盖金属种子层，进一步避免导体断层所带来的电路断路，提高了金属填充的工艺可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅通孔 结构 金属 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅通孔结构的金属填充方法，其特征在于，所述方法包括：当承载衬底和顶硅片键合后，在所述顶硅片上刻蚀硅通孔；向所述硅通孔内顺次淀积绝缘层和阻挡层；在所述阻挡层的表面利用原子层淀积方式淀积金属种子层；在所述金属种子层的表面淀积金属导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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