[发明专利]沉积后的晶片清洁配方在审
| 申请号： | 201610169603.3 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105820886A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 阿尔图尔·科利奇 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C11D1/88 | 分类号： | C11D1/88;C11D3/04;C11D3/06;C11D3/20;C11D3/24;C11D3/34;C11D3/36 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于从基底的表面清洁金属帽层的腐蚀产物的方法和系统。根据一个实施方式，处理溶液包含表面活性剂、络合剂和pH调节剂。配制所述表面活性剂以增强基底表面的润湿，并抑制所述帽层的进一步腐蚀。配制所述络合剂以与从所述晶片表面解吸的金属离子结合。配置所述pH调节剂以调节pH至所需水平，从而促进所述腐蚀产物从所述基底表面解吸。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 晶片 清洁 配方 | ||
【主权项】：
一种用于施加到晶片表面的溶液，所述溶液包含，表面活性剂，所述表面活性剂为两性表面活性剂，配置所述表面活性剂以增强所述晶片表面的润湿，所述表面活性剂在所述溶液中的浓度大约在10ppm至2000ppm的范围内；其中在施加到所述晶片表面期间，将所述溶液维持在pH大约1.8‑1.9；作为络合剂的草酸二水合物；以及作为pH调节剂的次磷酸，配置所述pH调节剂以在施加到所述晶片表面期间使所述溶液的pH降低至大约1.8‑1.9。
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