[发明专利]能实现反向阻断的MOSFET的结构和方法有效
| 申请号： | 201610162281.X | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105810723B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;张艳旺;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;朱建均 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及MOSFET的结构及其制作方法，尤其是能实现反向阻断的MOSFET的结构及其制作方法，包括MOSFET单元体，所述单元体包括N型重掺杂衬底、N型外延层、体区、第一栅极、第二栅极、导电通路、源区、源极接触孔和源极金属。所述的这种MOSFET结构能够有效阻断反向寄生二极管开启，由于反向恢复时寄生二极管损耗较大，通过外部反并联一个快速恢复二极管，在半桥、全桥电路中，使得续流电流流经快速恢复二极管，从而大大降低了反向恢复产生的损耗，提升了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 快速恢复二极管 寄生二极管 反向阻断 反向恢复时 源极接触孔 导电通路 反向恢复 全桥电路 续流电流 源极金属 单元体 反并联 半桥 衬底 体区 源区 制作 外部 | ||
【主权项】：
1.一种能实现反向阻断的MOSFET的结构，包括MOSFET单元体，所述单元体包括N型重掺杂衬底（1）、N型外延层（2）、体区（3）、第一栅极（4）、第二栅极（5）、导电通路（6）、源区（7）、源极接触孔（8）、源极金属（9），其特征在于：所述N型外延层（2）位于N型重掺杂衬底（1）上且邻接，所述体区（3）设于N型外延层（2）内，所述第一栅极（4）和第二栅极（5）均覆盖在N型外延层（2）上，所述导电通路（6）设于体区（3）内，所述源区（7）设于体区（3）内，所述第一栅极（4）的端部覆盖在导电通路（6）的一端，所述第二栅极（5）覆盖在导电通路（6）的另一端和源区（7）的部分区域，所述源极接触孔（8）设于源区（7）上，所述源极金属（9）填充在源极接触孔（8）内；所述导电通路（6）包括两个N阱（10）、P阱（11）、导电接触孔（12）和导电金属（13），所述P阱（11）位于两个N阱（10）之间，所述导电接触孔（12）设于两个N阱（10）和P阱（11）上，所述导电金属（13）填充在导电接触孔（12）内。
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