[发明专利]能实现反向阻断的MOSFET的结构和方法有效
| 申请号： | 201610162281.X | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105810723B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;张艳旺;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;朱建均 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速恢复二极管 寄生二极管 反向阻断 反向恢复时 源极接触孔 导电通路 反向恢复 全桥电路 续流电流 源极金属 单元体 反并联 半桥 衬底 体区 源区 制作 外部 | ||
【说明书】：
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