[发明专利]N型双面太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201610161758.2 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105609594B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 倪志春;魏青竹;吴晨阳;陆俊宇;刘晓瑞;连维飞 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种N型双面太阳能电池的制备方法，其无需掩膜，简化了N型双面太阳能电池的生产工艺。一种N型双面太阳能电池的制备方法，依次包括如下步骤S1、在N型硅片的表面上制绒形成绒面；S2、在制绒后的硅片正面涂覆硼浆料；S3、烘干烧结，在硅片正面形成一层硼硅玻璃作为阻挡层；S4、退火共扩散；S5、酸洗，洗掉硅片正面的硼硅玻璃及硅片背面的磷硅玻璃；S6、在硅片表面镀钝化膜；S7、印刷电极、烧结；其中，步骤S4进一步包括S41、硼扩散，在硅片的正面形成硼发射极；S42、磷扩散，在硅片的背面形成磷扩散背场。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：S1、在N型硅片的表面上制绒形成绒面；S2、在制绒后的硅片正面涂覆硼浆料；S3、烘干烧结，在硅片正面形成一层硼硅玻璃作为阻挡层；S4、退火共扩散；S5、酸洗，洗掉硅片正面的硼硅玻璃及硅片背面的磷硅玻璃；S6、在硅片表面镀钝化膜；S7、印刷电极、烧结；其中，步骤S3依次包括：S31、在100~200℃下烧结30~180s，将硼浆料的有机载体挥发；S32、峰值温度为500~800℃、压缩空气吹扫辅助下对硅片处理1~5min，在硅片的正面形成一层硼硅玻璃；步骤S4进一步包括：S41、硼扩散，在硅片的正面形成硼发射极；S42、磷扩散，在硅片的背面形成磷扩散背场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中利腾晖光伏科技有限公司，未经中利腾晖光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610161758.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
