[发明专利]N型双面太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

S1、在N型硅片的表面上制绒形成绒面；

S2、在制绒后的硅片正面涂覆硼浆料；

S3、烘干烧结，在硅片正面形成一层硼硅玻璃作为阻挡层；

S4、退火共扩散；

S5、酸洗，洗掉硅片正面的硼硅玻璃及硅片背面的磷硅玻璃；

S6、在硅片表面镀钝化膜；

S7、印刷电极、烧结；

其中，步骤S3依次包括：

S31、在100~200℃下烧结30~180s，将硼浆料的有机载体挥发；

S32、峰值温度为500~800℃、压缩空气吹扫辅助下对硅片处理1~5min，在硅片的正面形成一层硼硅玻璃；

步骤S4进一步包括：

S41、硼扩散，在硅片的正面形成硼发射极；

S42、磷扩散，在硅片的背面形成磷扩散背场。

2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1依次包括：

S11、用10~30wt%KOH或NaOH溶液去除硅片的切割损伤层；

S12、用2~5%的KOH或NaOH溶液在75~85℃下对硅片处理5~40min，形成金字塔结构的绒面；

S13、用HCL和HF混合酸溶液清洗硅片，洗去硅片上的金属杂质。

3.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S2中，使用旋涂或印刷方法在硅片正面涂覆硼浆料。

4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S41和S42依次进行，且在同一个扩散管中进行。

5.根据权利要求4所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S41中，向置有硅片的扩散管中通入体积比为（10~50）：1的N₂/O₂混合气体，温度700~800℃，时间5~10min；向所述扩散管中只通入N2，升温至900~1000℃，时间10~30min；向所述扩散管中通入体积比为（3~10）：1的N₂/O₂混合气体。

6.根据权利要求4或5所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S42中，向所述扩散管中通入体积比为1：（1~5）的N₂/O₂混合气体，其中所述N₂携带有POCl₃。

7.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S5中，所用的酸为5~10wt%HF溶液。

8.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S6中，在硅片的正面镀AlO_x/SiN_x或SiO_x/SiN_x叠层钝化膜。

9.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S6中，在硅片的背面镀SiN_x层。