[发明专利]减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法

摘要

一种减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，所述微波毫米波芯片的主要结构包括SiC衬底、外延沟道、势垒层、源漏电极及T型栅，T型栅结构采用电子束一次成型制备，所述减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法包括以下步骤：剥离栅金属，对栅结构进行钝化，钝化的致密介质具有耐BOE溶液腐蚀特性；生长电容介质；采用光刻工艺使栅暴露出来而电容结构被胶保护；利用BOE溶液对电容介质进行腐蚀，控制时间去除栅两侧的电容介质并保留钝化介质。将不同的介质作钝化和电容介质，以选择性的去处栅两侧的寄生电容，该方法用致密度高的高温SiN介质做栅钝化，利用致密度低的低温SiN介质做电容，依靠做栅钝化和做电容两者的BOE腐蚀速率差异去除栅两侧的电容介质减小栅寄生电容。

主权项

一种减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，所述毫米波芯片的外延材料上生长有介质，所述介质包括SiC衬底、外延沟道、势垒层、源漏电极及T型栅，所述T型栅结构采用电子束一次成型制备，其特征在于：所述减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法包括以下步骤：1)、剥离栅金属，对栅结构进行钝化，钝化的致密介质具有耐BOE溶液腐蚀特性；2)、生长电容介质；3)、采用光刻工艺使栅暴露出来而电容结构被胶保护；4)、利用BOE溶液对电容介质进行腐蚀，控制时间去除栅两侧的电容介质并保留钝化介质。