[发明专利]MEMS结构及其制造方法有效
申请号: | 201610158466.3 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN107205203B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 万蔡辛;朱佳辉 | 申请(专利权)人: | 共达电声股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/00 | 分类号: | H04R19/00;H04R31/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 261000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 公开了MEMS结构及其制造方法。所述MEMS结构包括:衬底;可动部件,所述可动部件位于所述衬底上方;固定部件,所述固定部件位于所述可动部件上,并且与所述可动部件彼此相对,以形成电容极板;第二焊盘,位于所述固定部件上;互连部件,连接所述可动部件层面;以及第一焊盘,位于所述互连部件上,所述互连部件使得所述第一焊盘与所述第二焊盘的高度差小于10微米。该MEMS结构利用互连部件在振膜上设置约束点,从而改善振膜的振型。 | ||
搜索关键词: | mems 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
MEMS结构,其特征在于,包括:衬底;可动部件,所述可动部件位于所述衬底上方;固定部件,所述固定部件位于所述可动部件上,并且与所述可动部件彼此相对,以形成电容极板;第二焊盘,位于所述固定部件上;互连部件,连接所述可动部件层面;以及第一焊盘,位于所述互连部件上,所述互连部件使得所述第一焊盘与所述第二焊盘的高度差小于10微米。
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