[发明专利]包括二维材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法

摘要

示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。

主权项

一种光电器件，包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的半导体有源层，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括掺杂的石墨烯，以及其中所述半导体有源层具有0.1eV或更大的内建电势。