[发明专利]N型IBC电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层，该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面，钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面；在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。本发明采用SiN_x膜或叠层膜的减反层和钝化层简化了现有电池结构，提高了生产效率，减低了生产成本。

主权项

一种N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层，该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面，钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面；在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。