[发明专利]N型IBC电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特 征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层，该n+ 重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面，钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂 层的上面；在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。

2.根据权利要求1所述的N型IBC电池，其特征在于，减反层采用SiN_x膜或SiO₂/Si₃N₄叠层膜。

3.根据权利要求1所述的N型IBC电池，其特征在于，钝化层采用SiN_x膜或SiO₂/Si₃N₄或Al₂O₃/Si₃N₄叠层膜。

4.一种N型IBC电池结构的制备方法，其包括如下步骤：

(1)N型硅片双面制绒：将N型硅片置于质量分数为1％～3％的NaOH溶液中反应 20～30min，进行双面制绒并对硅背面抛光；

(2)在硅片背面丝网印刷硼源和磷源，硼源印刷宽度为50μm～1.5mm、磷源印刷宽 度为30μm～1.5mm；

(3)在硅片背面淀积一层厚度为75nm～200nm、折射率为1.8～2.5的SiNx掩膜；

(4)将硅片置于扩散炉中，在温度800℃～1000℃环境下扩散40分钟～90分钟，使印 刷在硅片背面的硼源和磷源向硅中扩散，形成n+和p+掺杂层，其中n+掺杂层的扩散方 块电阻为15～60ohm/□，p+掺杂层的扩散方块电阻为20～80ohm/□；

(5)采用浓度为10％～15％的HF溶液，去除磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG及背面掩膜；

(6)采用PECVD方法在掺杂层背面淀积厚度为50nm～200nm，折射率为2.0～2.3的 SiN_x膜作为钝化层；

(7)采用PECVD在硅片正面沉积厚度为60nm～100nm，折射率为1.8～2.3的SiN_x膜作 为减反膜；

(8)在钝化层背面激光刻蚀形成电极接触图形，其激光刻蚀宽度为30μm～80μm， 刻蚀深度为50nm～200nm，以去除钝化层且不损伤掺杂层的硅片表面；

(9)在形成电极接触图形的硅片背面淀积金属Ag/Al层，制作电极，完成N型IBC 电池的制作。

5.根据权利要求4中所述备方法，其中步骤(9)中淀积金属Ag/Al层，是先用原子 层沉积方法ALD沉积厚度为50nm～100nm的Ag层，再沉积厚度为2μm～5μm的Al层，最后 进行光刻剥离，形成宽度为40μm～80μm的负电极和宽度为40μm～1mm的正电极。