[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610151916.6 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105988091B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 海老原美香 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具有检测磁方向的磁传感器的半导体装置，其特征在于由磁性体即磁收敛板造成的应力较小。磁传感器具备：设在半导体衬底表面的霍尔元件；以及具有磁放大功能的由磁性体构成的磁收敛板，其至少局部地覆盖各个所述霍尔元件，在所述磁性体加入有狭缝或狭槽，抑制在霍尔元件产生的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备磁传感器，该磁传感器具有：多个霍尔元件，设置在半导体衬底的表面；以及磁收敛板，设置在所述半导体衬底上，所述磁收敛板覆盖所述多个霍尔元件的每一个霍尔元件的至少一部分，其特征在于：/n所述磁收敛板具有从外边缘设置到内侧的多个狭缝，/n所述多个狭缝不会到达所述磁收敛板的中心，所述磁收敛板不会分离成2个以上的部分。/n
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