[发明专利]一种半导体制冷的X射线硅pin探测器有效
| 申请号： | 201610146035.5 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105700003B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 葛良全;曾国强;程峰;罗耀耀;张庆贤;马永红;谷懿;王广西 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G01T1/36 |
| 代理公司： | 11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 610059 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种半导体制冷的X射线硅pin探测器，包括：陶瓷管座，其边缘均匀设有若干引脚；设于陶瓷管座上的制冷器，其上封装有分别与引脚连接的Si‑Pin探测器、JFET场效应管、反馈电容、测试电容、热敏电阻，所述Si‑Pin探测器的探头内部充装有氦气，所述JFET场效应管具有源极、漏极、栅极，其中源极与漏极分别连接于引脚，栅极连接于Si‑Pin探测器，所述反馈电容、测试电容分别连接于Si‑Pin探测器；罩设于陶瓷管座上方的屏蔽罩；正向偏置电荷灵敏前置放大器，其正极连接于Si‑Pin探测器，负极接地，输出端与反馈电容连接后与电源输出端连接。该硅pin探测器具有结构简单、探测精准、工作效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 射线 pin 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制冷的X射线硅pin探测器，其特征在于，包括：/n陶瓷管座(1)，其边缘部位均匀设有若干引脚(2)；/n设于陶瓷管座(1)上的制冷器(3)，其上封装有分别与引脚(2)连接的Si-Pin探测器(4)、JFET场效应管(5)、反馈电容(6)、测试电容(7)、热敏电阻(8)，所述Si-Pin探测器(4)的探头内部充装有氦气，所述JFET场效应管(5)具有源极(9)、漏极(10)、栅极(11)，其中源极(9)与漏极(10)分别连接于引脚(2)，栅极(11)连接于Si-Pin探测器(4)，所述反馈电容(6)、测试电容(7)分别连接于Si-Pin探测器(4)；/n罩设于陶瓷管座(1)上方、用于对Si-Pin探测器(4)进行避光的屏蔽罩(12)；所述屏蔽罩(12)为三层复合材料制作而成，由内至外分别为内镀铝层、PET层、外镀铝层，所述内镀铝层与外镀铝层的厚度均为0.15um；/n正向偏置电荷灵敏前置放大器(13)，其正极连接于Si-Pin探测器(4)的正极连接，负极接地，输出端与反馈电容(6)连接后与电源输出端连接；所述JFET场效应管(5)、反馈电容(6)应设于靠近Si-Pin探测器(4)的位置；/n所述制冷器(3)为两级TEC制冷器；/n所述JFET场效应管(5)为裸晶圆；/n所述JFET场效应管( 5) 工作在正向偏置状态。/n
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