[发明专利]半导体器件、集成电路和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610140286.2 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105977290B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | K·科伊普;A·梅瑟;T·施勒塞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件、集成电路和制造半导体器件的方法。半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区和栅极电极，该栅极电极与该沟道区域的至少两侧相邻。栅极电极设置在与第一主表面平行的第一方向上延伸的沟槽中。栅极电极电耦合至栅极端子。沟道区域和漂移区沿着第一方向设置在源极区域与漏极区域之间。半导体器件进一步包括导电层，该导电层位于栅极电极下方并且与栅极电极绝缘。导电层电连接至栅极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括晶体管的半导体器件，所述晶体管位于具有第一主表面的半导体衬底中，所述晶体管包括：源极区域；漏极区域；沟道区域；漂移区；以及栅极电极，所述栅极电极与所述沟道区域的至少两侧相邻，所述栅极电极设置于在第一方向上延伸的栅极沟槽中，所述第一方向与所述第一主表面平行，所述栅极电极电耦合至栅极端子，所述沟道区域和所述漂移区沿着所述第一方向设置在所述源极区域与所述漏极区域之间，所述半导体器件进一步包括导电层，所述导电层位于所述栅极电极下方、并且与所述栅极电极绝缘，所述导电层电连接至所述栅极端子。
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