[发明专利]一种纳米晶高频单相变压器在审
| 申请号： | 201610137188.3 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105632715A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 付银仓;平帅;任楠;吕军平 | 申请（专利权）人： | 西安杰邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/26 | 分类号： | H01F27/26;H01F27/28;H01F27/29;H01F27/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米晶高频单相变压器，包括：磁芯（1）、低压绕阻（2）、高压绕阻（3）和接线板（4），其中，所述纳米晶高频单相变压器磁芯采用两个完全相同C型纳米晶环组成，通过绝缘带绑扎，磁密小于0.5T;所述低压绕组采用多股漆包绞线，根据频率高低选择漆包线直径，以控制电流密度小于4.5A/mm2，按层式排列绕制完成后真空浇注；所述高压绕组采用多股漆包绞线穿过磁芯绕制，出线采用接线鼻引出并焊接于接线板（4）上的接线铜排。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 高频 单相 变压器 | ||
【主权项】：
一种纳米晶高频单相变压器，其特征在于，包括：磁芯（1 ）、低压绕阻（2 ）、高压绕阻（3 ）和接线板（4），其中，所述纳米晶高频单相变压器磁芯采用两个完全相同C型纳米晶环组成，通过绝缘带绑扎，磁密小于0.5T; 所述低压绕组采用多股漆包绞线，根据频率高低选择漆包线直径，以控制电流密度小于4.5A/mm2，按层式排列绕制完成后真空浇注；所述高压绕组采用多股漆包绞线穿过磁芯绕制，出线采用接线鼻引出并焊接于接线板（4）上的接线铜排。
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