[发明专利]一种功率模块连接质量的检测方法有效

专利信息
申请号: 201610136577.4 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN105679691B 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 胡少华 申请(专利权)人: 嘉兴斯达半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 翁霁明
地址: 314006 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成,所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层,第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板;所述的检测方法包括:a)把功率模块放置于高精度平台上,关互锁安全门;b)选择检测条件如电压,电流,光管开始工作,光管发射的X光穿过功率模块;c)探测器固定在C型臂上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器可检测到偏转相同角度的X光信号,从而接收到完整的X光信息;d)根据X光信号层析成像,形成若干层的X光图像;e)再利用专门开发的软件,分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。
搜索关键词: 一种 功率 模块 连接 质量 检测 方法
【主权项】:
1.一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块(100)主要是由半导体芯片(1)、第一连接层(2)、覆铜陶瓷基板(3)、第二连接层(4)、基板(5)组装而成,其中,所述覆铜陶瓷基板(3)由上层铜(31)、中间层陶瓷(32)、下层铜(33)通过烧结等工艺做成一个整体,所述基板(5)是由平板(51)和散热柱(52)通过锻造、铸造或机械加工方法做成一个整体;所述第一连接层(2)连接半导体芯片(1)与覆铜陶瓷基板的上铜层(31),第二连接层(4)连接覆铜陶瓷基板的下铜层(33)与基板(5);其特征在于所述的检测方法是采用X光层析成像系统(1000)检测第一连接层(2)和第二连接层(4)或其中之一的连接质量,具体包括:a)把功率模块(100)放置于高精度平台(300)上,固定不动,关互锁安全门;b)设置检测条件,具体为电压、电流,光管(200)开始工作,光管(200)发射的X光穿过功率模块(100);c)探测器(500)固定在C型臂(400)上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器(500)可检测到偏转相同角度的X光信号,在检测的整个过程中,C型臂(400)缓慢旋转360°,所以,探测器(500)跟着旋转360°,从而接收到完整的X光信息;d)根据X光信号层析成像,形成若干层的X光图像;如果连接质量有气孔问题,可发现气孔的大小,在哪一层等信息;e)再利用软件,分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。
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