[发明专利]一种功率模块连接质量的检测方法有效
申请号: | 201610136577.4 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN105679691B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 胡少华 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 314006 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成,所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层,第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板;所述的检测方法包括:a)把功率模块放置于高精度平台上,关互锁安全门;b)选择检测条件如电压,电流,光管开始工作,光管发射的X光穿过功率模块;c)探测器固定在C型臂上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器可检测到偏转相同角度的X光信号,从而接收到完整的X光信息;d)根据X光信号层析成像,形成若干层的X光图像;e)再利用专门开发的软件,分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 连接 质量 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块(100)主要是由半导体芯片(1)、第一连接层(2)、覆铜陶瓷基板(3)、第二连接层(4)、基板(5)组装而成,其中,所述覆铜陶瓷基板(3)由上层铜(31)、中间层陶瓷(32)、下层铜(33)通过烧结等工艺做成一个整体,所述基板(5)是由平板(51)和散热柱(52)通过锻造、铸造或机械加工方法做成一个整体;所述第一连接层(2)连接半导体芯片(1)与覆铜陶瓷基板的上铜层(31),第二连接层(4)连接覆铜陶瓷基板的下铜层(33)与基板(5);其特征在于所述的检测方法是采用X光层析成像系统(1000)检测第一连接层(2)和第二连接层(4)或其中之一的连接质量,具体包括:a)把功率模块(100)放置于高精度平台(300)上,固定不动,关互锁安全门;b)设置检测条件,具体为电压、电流,光管(200)开始工作,光管(200)发射的X光穿过功率模块(100);c)探测器(500)固定在C型臂(400)上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器(500)可检测到偏转相同角度的X光信号,在检测的整个过程中,C型臂(400)缓慢旋转360°,所以,探测器(500)跟着旋转360°,从而接收到完整的X光信息;d)根据X光信号层析成像,形成若干层的X光图像;如果连接质量有气孔问题,可发现气孔的大小,在哪一层等信息;e)再利用软件,分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造