[发明专利]一种基于复合半导体纳米材料的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法及应用

摘要

一种基于复合半导体纳米材料的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法及应用。本发明涉及电致化学发光免疫传感器技术领域，特别是涉及一种以类石墨氮化碳和二硫化钼纳米复合物（g‑C₃N₄/MoS₂）为发光材料和基底材料的简易型免疫传感器的制备方法及应用。将g‑C₃N₄和MoS₂两种带隙相近的半导体纳米材料复合可以有效提高传感器的发光强度、增强稳定性。基于抗原抗体之间的特异性结合，该传感器用于检测甲胎蛋白，根据不同浓度的甲胎蛋白对电子传递阻碍程度不同，继而使得传感器电致化学发光强度不同，实现甲胎蛋白的检测。

主权项

一种基于g‑C₃N₄/MoS₂纳米复合材料的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)用1.0 μm、0.3 μm、0.05 μm的Al₂O₃抛光粉依次打磨直径为4 mm的玻碳电极(GCE)，分别在乙醇和超纯水中超声清洗5 min，氮气吹干，取6~10 μL g‑C₃N₄/MoS₂纳米复合材料分散液滴涂到电极表面，室温下晾干成膜，用PBS (pH 7.4) 缓冲溶液冲洗以除去未键合的g‑C₃N₄/MoS₂得到g‑C₃N₄/MoS₂/GCE；(2)取10 μL 8 ~10μg/mL的甲胎蛋白抗体(anti‑AFP)标准溶液滴涂到电极表面，4 ℃下孵化过夜，用PBS (pH 7.4)缓冲溶液冲洗得anti‑AFP/g‑C₃N₄/MoS₂/GCE；(3)取10 μL 质量分数为1~3%的牛血清白蛋白(BSA)溶液滴涂到电极表面，在37℃下孵化1 h，封闭非特异性结合的位点，用PBS (pH 7.4)缓冲溶液冲洗电极表面得到BSA/anti‑AFP/ g‑C₃N₄/MoS₂/GCE；(4)滴加10 μL浓度为0.005~100 ng/mL的一系列不同浓度的甲胎蛋白抗原标准溶液用于与抗体特异性识别，在37 ℃下孵育60 min，用PBS(pH 7.4)缓冲溶液冲洗电极表面，制得一种基于g‑C₃N₄/MoS₂的简易型电致化学发光免疫传感器(AFP/BSA/anti‑AFP/g‑C₃N₄/MoS₂/GCE)。