[发明专利]沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610125626.4 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105609637B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王新炜;高源鸿;邵友东;孟鸿 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法。沉积方法包括步骤A、将待处理的有机半导体装入气相原子层沉积装置的真空反应腔体；B、对真空反应腔体进行抽真空，维持真空反应腔体跟外部空气环境的有效隔离，并维持真空反应腔体的内部温度为20~100℃；C、向真空反应腔体中通入第一种气相前驱体，使其吸附在材料表面；D、通入载气将真空反应腔体中多余的第一种气相前驱体清除；E、向真空反应腔体中通入第二种气相前驱体，使之与吸附在材料表面的第一种气相前驱体反应，形成氧化物薄膜；F、通入载气将真空反应腔体中多余的第二种气相前驱体清除；重复步骤C至F直到获得设定厚度或结构的氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 氧化物 薄膜 方法 有机 场效应 晶体管 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种利用原子层沉积技术在有机半导体上沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于，包括步骤：A、将待处理的有机半导体装入气相原子层沉积装置的真空反应腔体；B、对真空反应腔体进行抽真空，维持真空反应腔体跟外部空气环境的有效隔离，并维持真空反应腔体的内部温度为20~100℃；C、向真空反应腔体中通入第一种气相前驱体，使其吸附在材料表面；D、通入载气将真空反应腔体中多余的第一种气相前驱体清除；E、向真空反应腔体中通入第二种气相前驱体，使之与吸附在材料表面的第一种气相前驱体反应，形成氧化物薄膜；所述第二种气相前驱体为非氧化性的前驱体；F、通入载气将真空反应腔体中多余的第二种气相前驱体清除；重复步骤C至F直到获得设定厚度的氧化物薄膜；所述氧化物薄膜的厚度为1~5nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究生院，未经北京大学深圳研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610125626.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
