[发明专利]热处理装置有效
申请号: | 201610124432.2 | 申请日: | 2016-03-04 |
公开(公告)号: | CN105938807B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 阿部诚;河原崎光;谷村英昭;古川雅志 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够使基板的面内温度分布均匀的热处理装置。从多个卤素灯(HL)对在腔室内由保持部保持的半导体晶片(W)照射卤素光而进行加热。在卤素灯(HL)与半导体晶片(W)之间,设置着由不透明石英形成的圆筒形状的遮光体(21)及圆环形状的遮光部件(25)。遮光部件(25)的外径小于遮光体(21)的内径。从卤素灯(HL)出射并透过产生在遮光体(21)的内壁面与遮光部件(25)的外周之间的间隙的光照射在容易产生温度下降的半导体晶片(W)的周缘部。另一方面,朝向过热区域的光被遮光部件(25)遮蔽,所述过热区域在仅设置遮光体(21)时产生在半导体晶片(W)的面内且温度比其他区域高。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种热处理装置,其特征在于:其是通过对圆板形状的基板照射光来加热该基板的热处理装置,且包含:腔室,收容基板;保持部,在所述腔室内保持基板;光照射部,在比由所述保持部保持的基板的主面更大且与该主面对向的光源区域配置着多个棒状灯;圆筒形状的遮光体,在所述光照射部与所述保持部之间以中心轴通过所述基板的中心的方式设置,且相对于从所述光照射部出射的光不透明;及遮光部件,设置在所述光照射部与所述保持部之间,相对于从所述光照射部出射的光不透明,且遮蔽从所述光照射部朝向因设置所述遮光体而在比所述基板的周缘部靠内侧处产生的过热区域的光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社思可林集团,未经株式会社思可林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610124432.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:一种条形无励磁分接开关的静触头结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造