[发明专利]一种太赫兹探测器芯片有效
申请号: | 201610123756.4 | 申请日: | 2016-03-04 |
公开(公告)号: | CN105679778B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 毛陆虹;赵帆;郭维廉;谢生;张世林;贺鹏鹏 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J1/42 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 杜文茹 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太赫兹探测器芯片,有:第一MOS探测管和第二MOS探测管,用于对第一MOS探测管和第二MOS探测管接收到的信号进行整流后输出的直流信号进行放大的低噪声放大器,第一MOS探测管和第二MOS探测管的漏极共同连接低噪声放大器的输入端,第一MOS探测管和第二MOS探测管的源极共同接地,第一MOS探测管的栅极通过第一阻抗匹配器连接第一片状天线,第二MOS探测管的栅极通过第二阻抗匹配器连接第二片状天线。本发明实现了天线、探测管和放大器的集成,从而实现了探测器的小型化,提高了探测器的成品率,降低了成本,实现了太赫兹波的双倍接收与转换,可将输出信号成倍提高,极大的降低了回波损耗,提高了信号功率的传输效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 赫兹 探测器 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种太赫兹探测器芯片,其特征在于,包括两个结构相同的天线和阻抗匹配器、两个尺寸相同MOS探测管和一个低噪声放大器,具体包括有:第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5),用于对第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)接收到的信号进行整流后输出的直流信号进行放大的低噪声放大器(1),所述第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)的漏极共同连接用于对第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)输出的低频信号进行放大的低噪声放大器(1)的输入端,所述第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)的源极共同接地,所述第一MOS探测管(4)的栅极通过第一阻抗匹配器(3)连接第一片状天线(2),所述第二MOS探测管(5)的栅极通过第二阻抗匹配器(6)连接第二片状天线(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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