[发明专利]用于PVD腔室的溅射靶材在审
| 申请号： | 201610123696.6 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105513952A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | Z·刘;R·王;X·唐;S·冈迪科塔;T-J·龚;M·M·拉希德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了用于PVD腔室的溅射靶材。本文公开靶材组件及包括靶材组件的PVD腔室。靶材组件包括具有凹面外形的靶材。当用于PVD腔室中时，凹面靶材在配置于溅射腔室中的基板上提供径向更均匀的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pvd 溅射 | ||
【主权项】：
一种用于半导体制造的溅射设备，所述设备包括：腔室，所述腔室具有界定处理区域的壁，所述处理区域包括基板支撑件；靶材，所述靶材与所述基板支撑件相间隔；以及RF功率源，所述RF功率源耦接至所述靶材以自所述靶材溅射材料，所述靶材具有界定可溅射靶材表面的正面，所述可溅射靶材表面延伸于所述靶材的周围边缘之间，且所述可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，其中，所述靶材的所述周围边缘处的厚度大于所述中心区处的厚度，并且其中，所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述中心区具有直径Rc，且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自60％至90％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
