[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
申请号: | 201610122283.6 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105938839B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 金炳容;田雄淇;金显镇;宋溱镐 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波;翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了薄膜晶体管基板及其制造方法。薄膜晶体管基板包括开关元件,该开关元件包括:栅电极,电连接到在第一方向上延伸的栅线;有源图案,交叠栅电极;源电极,设置在有源图案上并电连接到在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线;以及漏电极,与源电极间隔开。薄膜晶体管基板还包括:有机层,设置在开关元件上;第一电极,设置在有机层上;以及第二电极,交叠第一电极,并电连接到漏电极。第二电极的厚度比第一电极的厚度厚。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,包括:开关元件,包括栅电极、有源图案、源电极和漏电极,该栅电极电连接到在第一方向上延伸的栅线,该有源图案交叠所述栅电极,该源电极设置在所述有源图案上并电连接到在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线,该漏电极与所述源电极间隔开;有机层,设置在所述开关元件上;第一电极,设置在所述有机层上;以及第二电极,交叠所述第一电极并电连接到所述漏电极,并且其中所述第二电极的厚度比所述第一电极的厚度厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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