[发明专利]一种硫化亚铜纳米片的制备方法在审
申请号: | 201610121075.4 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105714266A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 李京波;黎博;鹿方园;吴福根;陈新 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 张文 |
地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种硫化亚铜纳米片的制备,利用的是化学气相气相沉积的方法,主要包括以下步骤:将纳米铜粉和硫粉放入石英舟中,然后在管式炉中反应制备得到硫化亚铜二维薄片。然后以制备的硫化亚铜薄片为材料测试XRD。该制备硫化亚铜的方法过程简单,技术成熟,设备易得,非常有利于商业化推广;另外,利用此方法制备的硫化亚铜结晶度好,薄膜的平整度高。硫化亚铜的β相向γ相相变接近室温。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硫化亚铜纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤a、将SiO2/Si基底清洗;然后将Cu纳米粉末置于石英舟中,并在石英舟的正上方平放清洗干净的SiO2/Si基底,将石英舟置于高温管式炉的石英管中并密封;步骤b、将S粉末置于石英舟中,距离SiO2/Si基底10‑25cm;步骤c、向石英管中通入惰性气体将管中的空气完全排净,调小惰性气体的气流量,高温管式炉升温至600‑800℃,反应完全后自然降温;步骤d、待石英管的温度达到室温时取出样品,样品制备完成。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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