[发明专利]GaN基LED垂直芯片结构及制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基LED垂直芯片结构及制备方法，该结构包括：键合衬底；P焊盘；具有倾斜侧壁的倒金字塔型发光外延结构，包括依次层叠的P‑GaN层、量子阱层及N‑GaN层，所述N‑GaN层表面形成有粗化结构；透明绝缘层，形成于倾斜侧壁表面；反射层，形成于透明绝缘层表面；以及N焊盘。本发明将发光外延结构的侧壁做成倒金字塔型，并镀有反射层，可有效地改善现有的正金字塔型侧壁的LED垂直芯片几乎将出射角大于全反射临界角的光线全部限制在器件内部的缺陷，并将射向该侧壁的更多的光线以更短的距离传输出去。本发明的垂直芯片侧壁结构增加了光提取效率，更有利于出光，同时利用绝缘材料对侧壁进行保护，有效避免制程中造成的芯片漏电情况，提高芯片可靠性。

主权项

一种GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上形成包括N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层的发光外延结构；步骤2)，刻蚀所述发光外延结构，以形成具有正金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤3)，于所述倾斜侧壁表面形成透明绝缘层；步骤4)，于所述透明绝缘层表面形成反射层；步骤5)，于所述P‑GaN层表面形成P焊盘；步骤6)，提供一键合衬底，并键合所述键合衬底及P焊盘；步骤7)，剥离所述生长衬底露出所述N‑GaN层，形成固定于所述键合衬底上的具有倒金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤8)，对裸露的N‑GaN层表面进行粗化；步骤9)，于所述N‑GaN层表面形成N焊盘。