[发明专利]一种集成电路封装用的高热导率氮化铝陶瓷基板制备方法

摘要

本发明公开了一种集成电路封装用的高热导率氮化铝陶瓷基板制备方法，其步骤：(1)先取无水碳酸锂、无水氧化钇放于马弗炉，合成锂酸钇，再经湿法球磨，制成浆料；(2)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料经筛选，获得锂酸钇粉末；(3)按质量百分比，取锂酸钇、氟化钙和AlN粉体放于无水乙醇介质中，球磨24h，制成浆料；(4)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料筛选，得到混合粉末；(5)将所得的粉末再干压、静压成型,得到素胚；(6)将素胚放在高温氮气炉，在氮气和氢气气氛中，升温至1450℃,烧结保温1小时，再升温至1735℃，烧结保温8h，然后降温冷却至室温，获得高热导率AlN陶瓷基板。该方法制备的AlN陶瓷基板热导率高、结构致密，晶粒细小，且分布均匀。

主权项

一种集成电路封装用的高热导率氮化铝陶瓷基板制备方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：先按质量百分比，取24.67%的无水碳酸锂、75.33%的无水氧化钇混合后放于马弗炉中，升温到1400℃，保温3～4h，冷却取出合成锂酸钇，放于无水乙醇作介质中湿法球磨6h，制成混合浆料；将球磨后的混合浆料放入烘干机中，设置80℃的温度进行干燥处理，干燥时间为4h，将烘干后的干料经过100目筛筛选，获得锂酸钇粉末；按质量百分比，取4%的锂酸钇、0.5%的氟化钙和95.5%的AlN粉体放于无水乙醇介质中球磨24h，制成混合浆料；将球磨后的混合浆料放入烘干机中，设置80℃的温度进行干燥处理，干燥时间为4h，将烘干后的干料经过100目筛筛选，得到混合粉末，其粒径为2‑10µm；将所得的粉末再干压、静压成型,得到所需形状的素胚，其中，所述的干压、静压成型为：将所得的混合粉末放入模具，施加90～100Mpa之间的压力，保压20～30s，再施加180～200Mpa之间的压力，静压70～90s，脱模，制成所需形状的素胚；将所需形状的素胚放置在高温氮气炉，在氮气和氢气的混合气氛保护中，其中氢气流量占混合气体总流量的10～20%，以3～5℃/min的升温速率升温至1420～1450℃, 烧结保温0.5～1小时，再以同样的升温速率升温至1720～1735℃，烧结保温2‑8h，然后以同样的降温速率冷却至室温，获得高热导率的AlN陶瓷基板。