[发明专利]一种提高GaNHEMT钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术

摘要

本发明公开了一种提高氮化镓基电子器件表面钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术及实现方法，所述方法主要应用于在氮化镓基电子器件制备中，在常规钝化层淀积之前，利用臭氧、氧等离子体等强氧化剂对氮化镓表面进行氧化，然后再用盐酸去除薄层氧化物，重复该过程若干周期在表面钝化之前达到彻底移除表面缺陷，得到一个相对完美的表面，提高表面钝化效果，降低由于表面陷阱效应引起的电流崩塌。

主权项

一种提高氮化镓电子器件钝化效果的表面处理方法，其特征在于，所述技术包括在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上外延AlGaN/GaN异质结构，外延材料结构从下向上包括：衬底、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN本征层，GaN盖帽层。所述方法包括步骤：(1)对生长好的GaN/AlGaN/AlN/GaN材料进行光刻和刻蚀(或者离子注入)，形成有源区台面；(2)对(1)中制备好有源区的晶圆片制备源、漏欧姆接触；(3)形成源、漏欧姆接触之后，使用臭氧氧化、盐酸腐蚀的表面处理技术处理样品2～10个周期，完成表面处理工艺；(4)对(3)处理好的样品，在其上用PECVD、ICPCVD或者LPCVD生长钝化层；(5)在(4)的基础上，光刻刻蚀出栅电极区域，然后用电子束蒸发或磁控溅射生长栅金属电极，随后对器件进行剥离工艺处理形成栅电极，最后在氮气环境下对整个晶元进行退火处理，完成整体器件的制备。