[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201610109193.3 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105990086B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 大桥直史;丰田一行;松井俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法，为了抑制形成在衬底上的膜的面内均匀性的降低而能够局部调整处理区域的等离子体分布。衬底处理装置，包括：衬底载置部，供衬底载置；分割构造体，在与衬底载置部相对的空间形成处理区域；气体供给部，向分割构造体所形成的处理区域供给处理气体；等离子体生成部，将气体供给部向处理区域供给的处理气体形成为等离子体状态并生成处理气体的活性种，并在形成等离子体状态时，按处理区域的部分而分别独立控制活性种的活性度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，包括：衬底载置部，供多个衬底以圆周状载置，并可旋转移动；分割构造体，在与所述衬底载置部相对的空间从所述圆周状的中心呈放射状地形成多个处理区域；气体供给部，向所述分割构造体所形成的所述处理区域供给处理气体；等离子体生成部，所述等离子体生成部在所述多个处理区域内的至少一个区域具备如下这样形成的电介质板：所述电介质板与所述衬底的距离按该区域的部分而不同；将所述气体供给部向所述处理区域供给的处理气体形成为等离子体状态并生成该处理气体的活性种，并在形成所述等离子体状态时，按所述处理区域的部分而分别使所述活性种的活性度不同。
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