[发明专利]晶体管的离子注入方法和晶体管有效
| 申请号： | 201610109069.7 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107134409B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马万里;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管的离子注入方法和晶体管，其中，离子注入方法包括：在形成栅氧化层的衬底上形成待制备的晶体管的栅极结构，所述栅极结构的两侧区域分别为源极预留区域和漏极预留区域；在所述栅极结构的一侧侧壁上形成侧墙；在形成所述侧墙后，以指定注入角度对所述源极预留区域和所述漏极预留区域进行离子注入，其中，所述指定注入角度为所述栅极结构的铅垂线与所述离子注入的轨迹线之间的角度，以所述铅垂线为起点时所述轨迹线与所述侧墙分布于所述铅垂线的对侧。通过本发明技术方案，改善了离子注入过程的阴影效应，提升了晶体管的器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的离子注入方法，其特征在于，包括：在形成栅氧化层的衬底上形成待制备的晶体管的栅极结构，所述栅极结构的两侧区域分别为源极预留区域和漏极预留区域；在所述栅极结构的一侧侧壁上形成侧墙；在形成所述侧墙后，以指定注入角度对所述源极预留区域和所述漏极预留区域进行离子注入，其中，所述指定注入角度为所述栅极结构的铅垂线与所述离子注入的轨迹线之间的角度，所述轨迹线与所述侧墙分布于所述铅垂线的对侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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