[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成硬掩模层和牺牲层；在牺牲层上形成包括沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔开的第一至第三上子心轴的上心轴，第一上子心轴的宽度小于第二和第三上子心轴的宽度；在每个上子心轴的侧壁上形成第一间隔件；去除上心轴；以第一间隔件为蚀刻掩模蚀刻牺牲层，以形成包括多个子心轴的下心轴；在下子心轴的侧壁上形成第二间隔件；去除下心轴；以第二间隔件为蚀刻掩模图案化硬掩模层和衬底，以形成彼此并排沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔开的第一至第十鳍；去除第一、第二、第五和第八鳍；形成与第三、第四、第六和第七鳍交叉的第一栅电极和与第六、第七、第九和第十鳍交叉的第二栅电极。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上按次序形成硬掩模层和第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成至少包括第一上子心轴至第三上子心轴的上心轴，第一上子心轴至第三上子心轴各自沿着第一方向延伸，并且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此间隔开，第一上子心轴沿着所述第二方向的宽度小于第二上子心轴和第三上子心轴沿着所述第二方向的宽度；在第一上子心轴至第三上子心轴中的每一个的两个侧壁上形成第一间隔件；去除所述上心轴；使用所述第一间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一牺牲层，以形成包括多个下子心轴的下心轴；在所述下子心轴的两个侧壁上形成第二间隔件；去除所述下心轴；使用所述第二间隔件作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层和所述衬底，以形成鳍式图案，所述鳍式图案包括彼此并排沿着所述第一方向延伸并且沿着所述第二方向彼此间隔开的第一鳍至第十鳍；去除第一鳍、第二鳍、第五鳍和第八鳍；以及形成第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极沿着所述第二方向延伸以与第三鳍、第四鳍、第六鳍和第七鳍交叉，所述第二栅电极沿着所述第二方向延伸以与第六鳍、第七鳍、第九鳍和第十鳍交叉而不与第三鳍和第四鳍交叉，并且所述第二栅电极沿着所述第一方向与所述第一栅电极间隔开。