[发明专利]半导体元件和用于制造半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201610103116.7 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105905865B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | C.布雷特豪尔;D.梅因霍尔德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体元件和用于制造半导体元件的方法。一种方法包括提供经处理的衬底布置，所述经处理的衬底布置包括经处理的半导体衬底和在经处理的半导体衬底的主表面上的金属化层结构。所述方法进一步包括释放蚀刻，其用于在经处理的半导体衬底中的分离区处在金属化层结构中生成截槽，所述分离区定义经处理的衬底布置的管芯区与经处理的衬底布置的至少第二区之间的边界。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
方法（100；300），包括：提供（110）经处理的衬底布置（10；70），经处理的衬底布置（10；70）包括经处理的半导体衬底（12）和在经处理的半导体衬底（12）的主表面（16）上的金属化层结构（14）；以及从金属化层结构（14）的表面向经处理的半导体衬底（12）释放蚀刻（120），用于在经处理的半导体衬底（12）中的分离区（25）处在金属化层结构（14）中生成截槽（22），分离区（25）定义经处理的衬底布置（10；70）的管芯区（27；34a‑b）与经处理的衬底布置（10；70）的至少第二区之间的边界。
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