[发明专利]具有在隔离区上的间隔件的半导体器件有效
| 申请号： | 201610102379.6 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106057803B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朴炳哉;申宪宗;赵学柱;吕京奂 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，其包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上且延伸到所述隔离区的表面上的栅极间隔件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 间隔 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上的栅极间隔件，其配置为延伸到所述隔离区的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
