[发明专利]高纯度高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种高纯度、高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中，采用三氧化钼（MoO3）和硫（S）粉作为蒸发源，在真空环境中通过热蒸发的方法，在载气作用下，在基片上可控合成和生长MoO2层片状纳米结构。该方法具有反应平和、纳米材料的合成与生长条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率和纯度高、成本低廉、环保等优点。所获得的纳米结构产物密度高，纳米结构的厚度分布均匀，可望在电子器件、锂离子电池等方面获得广泛应用。

主权项

高纯度、高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法，其特征在于，所述纳米结构为层片状MoO2晶体；所述方法通过热蒸发MoO3粉与硫粉，在基片上沉积得到MoO2层片状纳米结构，包括以下步骤和内容：(1)在双温区真空管式炉中，将分别装有MoO3粉和S粉的氧化铝陶瓷坩埚、或者装有MoO3粉和S混合粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域，在其气流下游10‑40cm处的低温加热区放置基片；(2)在加热前，先用真空泵对整个系统抽真空至0.05Pa以下，然后向系统中通入高纯惰性载气，并重复多次，以排除系统中的残余氧气；然后将高温加热区以10‑35℃/min速率升温到800‑1000℃，将低温加热区以10‑40℃/min速率升温到400‑650℃，保温1‑4小时；在加热过程中，在真空系统持续工作的前提下通入载气并保持载气流量为50‑300标准立方厘米每分钟，且整个加热过程在惰性载气保护下完成，最后自然降温到室温，即可在基片上得到高纯度的MoO2层片状纳米结构。