[发明专利]带有超级结结构设计的半导体器件有效
| 申请号： | 201610098672.X | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105633128B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 马荣耀;可瑞思 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种应用在功率半导体场效应晶体管器件中的带有超级结结构设计的半导体器件，在半导体器件的一个有源区的外延层中形成的第二导电类型的多个第一立柱，在半导体器件的一个终端区的外延层中形成的第二导电类型的多个第二立柱，位于有源区和终端区之间的过渡区，由多个第一立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现有源区的电荷平衡，多个第二立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现终端区的电荷平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 超级 结构设计 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种带有超级结结构设计的半导体器件，其特征在于，包括：一个第一导电类型的衬底和位于该衬底之上的一个第一导电类型的外延层；在半导体器件的一个有源区的外延层中形成的第二导电类型的多个第一立柱；在半导体器件的一个终端区的外延层中形成的第二导电类型的多个第二立柱；一个位于有源区和终端区之间的过渡区；其中有源区中位于相邻第一立柱间的外延层和终端区中位于相邻第二立柱间的外延层定义为第一导电类型的第三立柱；多个第一立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现有源区的电荷平衡，多个第二立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现终端区的电荷平衡；有源区中最邻近过渡区的一个第一立柱的宽度为S1，以及有源区中不直接邻近过渡区的其他余下的第一立柱的宽度为S0，其中S1小于S0；其中限定(S0－S1)÷S0的值在2％‑20％的范围以内；第一立柱和第二立柱的深度范围在5um‑80um以内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华润微电子（重庆）有限公司，未经华润微电子（重庆）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610098672.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管及其形成方法
- 下一篇：MRI用鸟笼式发射天线
- 同类专利
- 专利分类
