[发明专利]氧化物薄膜的制备方法及其薄膜晶体管在审
申请号: | 201610097565.5 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN105551955A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 兰林锋;高沛雄;王磊;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L29/786 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 赵蕊红 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管。氧化物薄膜的制备方法是先将氧化物纳米粉末用分散剂分散在溶剂中形成悬浮液,然后将悬浮液在衬底上成膜,再将所成的膜经退火处理去除分散剂后得到所需要的氧化物薄膜;氧化物纳米粉末含有铟、锌、镓、锡、锆、铝、铪、钪、钽和硅中的至少一种,溶剂为水或醇。分散剂为木质素、酚醛树脂或纤维素中的一种。薄膜晶体管采用上述氧化物薄膜构成其一个或者多个功能层。本发明制备温度低、成本低、适用于大面积制备、环保、可控性强、所制备的薄膜性能良好。具有该薄膜的薄膜晶体管迁移率高,开关比高,制备工艺简单,成本低廉,可实现低温、大规模制备,能应用于柔性显示。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 薄膜 制备 方法 及其 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:先将氧化物纳米粉末用分散剂分散在溶剂中形成悬浮液,然后将悬浮液在衬底上成膜,再将所成的膜经退火处理去除分散剂后得到所需要的氧化物薄膜;所述氧化物纳米粉末含有铟、锌、镓、锡、锆、铝、铪、钪、钽和硅中的至少一种,所述溶剂为水或醇。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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