[发明专利]半导体器件安全认证方法有效
| 申请号： | 201610094474.6 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107104035B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 呼翔;彭坤;施平;罗学辉;赵连国;李强;王海莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件安全认证方法，提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，电路元件包括底层抗反射层，电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异；多次比较电路元件矩阵中任意两个电路元件的元件参数值，并且每次比较的电路元件不完全相同，获得多个比较结果；将获得的多个比较结果构成的序列作为半导体器件的密钥。由于电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异，因此电路元件矩阵中至少部分电路元件的元件参数值存在差异，利用元件参数值差异应用于半导体器件的安全认证，具有广泛的发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 安全 认证 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件安全认证方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，所述电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，所述电路元件包括底层抗反射层，所述电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异；多次比较所述电路元件矩阵中任意两个电路元件的元件参数值，并且每次比较的电路元件不完全相同，获得多个比较结果；将获得的多个比较结果构成的序列作为所述半导体器件的密钥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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