[发明专利]背照式全局像素单元结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种背照式全局像素单元结构及其制备方法，通过采用挡光隔离沟槽和附加电容上极板对入射光进行反射，避免入射光进入电容结构的电荷信号存储区，并且附加电容结构形成于电容结构对应的硅衬底的背面，可以与电容结构并联，不会占用像素单元中过多的面积，不影响像素单元中光电二极管的感光面积，不会降低器件的灵敏度，还可以增加全局像素单元的存储电容值，降低全局像素单元的读出噪声和提高全局像素单元的整体性能。

主权项

一种背照式全局像素单元结构，包括硅衬底、位于所述硅衬底正面的金属互连层、光电二极管、以及电容结构；所述电容结构具有上极板、下极板和介于上极板和下极板之间的介质层；其特征在于，还包括：位于所述硅衬底背面的且对应于所述电容结构上方的附加电容结构；位于所述电容结构和所述附加电容结构周围的且穿透整个硅衬底的挡光隔离沟槽；其中，所述挡光隔离沟槽包围所述电容结构的下极板。