[发明专利]六方晶单晶基板的检查方法和检查装置有效
申请号: | 201610085661.8 | 申请日: | 2016-02-15 |
公开(公告)号: | CN105895546B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 平田和也;高桥邦充;西野曜子 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 六方晶单晶基板的检查方法和检查装置。以将六方晶单晶基板的上表面垂直于激光束的光路进行定位,并使得激光束透过六方晶单晶基板的方式保持,以该激光束发生单元产生的激光束的中心为旋转中心使六方晶单晶基板相对于激光束的偏振面进行旋转,将透过了六方晶单晶基板的激光束透过偏振分束镜分支为P偏振光和S偏振光。包括:计算工序,使用测量由该偏振分束镜分支的P偏振光的光量的第1受光元件和测量S偏振光的光量的第2受光元件,计算该第1受光元件和该第2受光元件测量出的光量比;倾斜检测工序,将该六方晶单晶基板相对于激光束的偏振面的相对旋转角度与通过该计算工序而计算的光量比对比并显示,检测c轴相对于该上表面的垂线的倾斜方向。 | ||
搜索关键词: | 六方晶单晶基板 检查 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种六方晶单晶基板的检查方法,该六方晶单晶基板具有第1面和第2面、从该第1面到该第2面的c轴以及与该c轴正交的c面,其中,该第2面在该第1面的相反侧,该检查方法检测c轴相对于该第1面的垂线倾斜的方向,该检查方法的特征在于,包括:准备工序,准备激光束发生单元,该激光束发生单元产生线偏振的激光束,该激光束具有透过六方晶单晶基板的波长和规定的方向的偏振面;保持工序,以将六方晶单晶基板的第1面相对于激光束的光路垂直地进行定位,并且使得激光束透过六方晶单晶基板的方式对该第1面进行保持;旋转工序,以激光束的中心为旋转中心使六方晶单晶基板相对于该激光束发生单元产生的激光束的偏振面而相对旋转;分支工序,通过偏振分束镜将透过了六方晶单晶基板的激光束分支为P偏振光和S偏振光;计算工序,使用第1受光元件和第2受光元件计算该第1受光元件和该第2受光元件测量出的光量的光量比,其中,该第1受光元件测量由该偏振分束镜分支出的P偏振光的光量,该第2受光元件测量由该偏振分束镜分支出的S偏振光的光量;以及倾斜度检测工序,将六方晶单晶基板相对于该激光束的偏振面的相对旋转角度与通过该计算工序计算出的光量比进行对比并显示,检测c轴相对于该第1面的垂线倾斜的方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610085661.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种窑尾烟室探头
- 下一篇:一种陶瓷隧道窑废气余热回收器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造