[发明专利]摄像装置以及摄像装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610082713.6 申请日: 2016-02-05
公开(公告)号: CN105870140A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 冈田康隆 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种摄像装置以及其制造方法。由形成于半导体衬底(SUB)的隔离区域(STI)来规定出P型阱(PW)。在P型阱(PW)中规定有像素区域(PER)和接地区域(GND)。在像素区域(PER)中规定有形成了光电二极管(PD)的光电二极管区域(PDR)和像素晶体管区域(PTR)。以至少覆盖光电二极管区域(PDR)以及接地区域(GND)的方式形成有防反射膜(ARF)。以贯穿防反射膜(ARF)等的方式形成有与接地区域(GND)连接的插塞(PG)。
搜索关键词: 摄像 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种摄像装置,其特征在于,具有:半导体衬底,其具有主表面;元件形成区域,其规定在所述半导体衬底上,由第一导电型的第一杂质区域形成;像素区域,其规定在所述元件形成区域上;光电转换部,其形成于所述像素区域;接地区域,其以与所述光电转换部隔着隔离部的方式规定在所述元件形成区域上,与所述光电转换部电连接并且与接地电位电连接;防反射膜,其以至少覆盖所述光电转换部以及所述接地区域的方式形成,用于抑制光的反射;层间绝缘膜,其以覆盖所述防反射膜的方式形成;以及插塞,其以贯穿所述层间绝缘膜以及所述防反射膜的方式形成,与所述接地区域电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610082713.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top