[发明专利]一种恒流二极管结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610082486.7 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105551969B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王英杰 | 申请（专利权）人： | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/808 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 610404 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法，在N型外延层中增设P型发射区，N型源区、P型栅极区、N型外延层、N型漏区组成恒流二极管，P型衬底、N型外延层和P型发射区组成PNP三极管，由此，单位面积电流大幅提高，并且器件的温度稳定性和均匀性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种恒流二极管结构，其特征在于，包括：P型衬底；形成于所述P型衬底正面上的N型外延层；形成于所述N型外延层中的P型栅极区、N型源区、N型漏区、P型发射区以及P型隔离；以及形成于所述P型栅极区、N型源区以及P型发射区上的正面电极；其中，所述P型衬底、N型外延层和P型发射区组成PNP三极管，所述N型源区、P型栅极区、N型外延层、N型漏区组成恒流二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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