[发明专利]半导体结构及包含所述半导体结构的传声器的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及包含所述半导体结构的传声器的制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上沉积第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层表面形成Ge填充层，并在Ge填充层及第一二氧化硅层内形成下电极；在Ge填充层表面沉积第二二氧化硅层及第三二氧化硅层；在第三二氧化硅层表面形成上电极；在上电极表面形成具有声孔及阻挡结构的氮化硅层；背面刻蚀贯穿半导体衬底的通孔；去除第一二氧化硅层、Ge填充层、第二二氧化硅层及第三二氧化硅层。位于下电极上方的Ge填充层作为二氧化硅层的刻蚀阻挡层，避免了二氧化硅层的刻蚀对下电极造成损坏；Ge作为填充层，更容易去除，不会在下电极表面有残留，提高了传声器的电容稳定性及灵敏度。

主权项

1.一种包含半导体结构的传声器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积第一二氧化硅层，刻蚀所述第一二氧化硅层以在对应于后续要形成保护柱的位置形成第一开口；在所述第一二氧化硅层表面形成Ge填充层，并在所述Ge填充层及第一二氧化硅层内形成下电极，所述下电极的下表面形成有所述保护柱，所述保护柱用于确保所述下电极不与所述半导体衬底完全接触，该步骤包括：在所述第一二氧化硅层表面及所述第一开口内沉积第一Ge层，所述第一Ge层表面形成有与所述第一开口相对应的凹槽，在所述第一Ge层表面及所述凹槽内沉积第一多晶硅层作为下电极，并在所述凹槽内形成保护柱，以及在所述下电极表面沉积第二Ge层；在所述Ge填充层表面依次沉积第二二氧化硅层及第三二氧化硅层，刻蚀所述第二二氧化硅层及所述第三二氧化硅层，以在对应于后续要形成阻挡结构的位置形成第二开口；在所述第三二氧化硅层表面形成上电极；在所述上电极、所述第三二氧化硅层表面及所述第二开口内沉积氮化硅层，位于所述第二开口内的所述氮化硅层形成所述阻挡结构；刻蚀去除位于所述第三二氧化硅层表面的所述氮化硅层形成声孔；背面刻蚀所述半导体衬底，形成贯穿所述半导体衬底的通孔；去除所述第一二氧化硅层、所述Ge填充层、所述第二二氧化硅层及所述第三二氧化硅层。