[发明专利]薄膜沉积装置有效

专利信息
申请号: 201610077444.4 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN105839076B 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 徐祥准;刘址范;郑昊均;赵成珉 申请(专利权)人: 成均馆大学校产学协力团
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 樊英如;李献忠
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种薄膜沉积装置,在该薄膜沉积装置中源单元被配置在等离子体单元的下端,并且所述等离子体单元包括栅格。
搜索关键词: 薄膜 沉积 装置
【主权项】:
1.一种薄膜沉积装置,其包括:衬底加载单元,将衬底加载在该衬底加载单元上;衬底传送单元,其连接于所述衬底加载单元并被配置成交替地移动所述衬底;以及薄膜沉积单元,其被配置成在所述衬底上沉积薄膜,其中所述薄膜沉积单元包括等离子体模块,所述等离子体模块包括相互独立的源单元和等离子体单元,所述等离子体模块的所述等离子体单元包括:进口单元,通过该进口单元引入等离子体气体;等离子体存储单元,其存储通过所述进口单元引入的所述等离子体气体;以及多个等离子体生成单元和多个源单元,其交替地配置在所述等离子体存储单元的下端,并且其中所述等离子体模块进一步包括栅格,其中所述等离子体模块还包括多个气体排放单元,所述气体排放单元能够进一步被包括在交替地配置的所述等离子体产生单元和所述源单元之间的每个间隔内。
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