[发明专利]薄膜沉积装置有效
申请号: | 201610077444.4 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN105839076B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 徐祥准;刘址范;郑昊均;赵成珉 | 申请(专利权)人: | 成均馆大学校产学协力团 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜沉积装置,在该薄膜沉积装置中源单元被配置在等离子体单元的下端,并且所述等离子体单元包括栅格。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜沉积装置,其包括:衬底加载单元,将衬底加载在该衬底加载单元上;衬底传送单元,其连接于所述衬底加载单元并被配置成交替地移动所述衬底;以及薄膜沉积单元,其被配置成在所述衬底上沉积薄膜,其中所述薄膜沉积单元包括等离子体模块,所述等离子体模块包括相互独立的源单元和等离子体单元,所述等离子体模块的所述等离子体单元包括:进口单元,通过该进口单元引入等离子体气体;等离子体存储单元,其存储通过所述进口单元引入的所述等离子体气体;以及多个等离子体生成单元和多个源单元,其交替地配置在所述等离子体存储单元的下端,并且其中所述等离子体模块进一步包括栅格,其中所述等离子体模块还包括多个气体排放单元,所述气体排放单元能够进一步被包括在交替地配置的所述等离子体产生单元和所述源单元之间的每个间隔内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成均馆大学校产学协力团,未经成均馆大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610077444.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金属冲压件的表面处理剂
- 下一篇:一种钛合金齿轮的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的