[发明专利]一种钙钛矿光吸收复合层、钙钛矿太阳电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610076596.2 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN105591032A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 魏一;刘爱民;李平;王宇轩;黎晓璇 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 梅洪玉;潘迅
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种钙钛矿光吸收复合层的制备方法。该复合层是将具有不同带宽的钙钛矿单层,按吸收带隙宽度逐层增大的顺序的自下而上逐层沉积而形成的一个光吸收复合层。由于该复合层在很宽的光谱范围内对光子有较强的光子收集能力,含有这种复合层的钙钛矿太阳电池的转换效率会得到明显的提高。本发明还公开了一种具有光吸收复合层的钙钛矿太阳电池的结构及其制作方法。该电池结构自下而上包括:(1)导电玻璃、(2)电子传输层、(3)钙钛矿光吸收复合层、(4)空穴传输层和(5)顶部导电层。该电池的制备方法简易,成本低。避免了传统叠层电池需要增加子电池带来的工艺复杂、造价昂贵的弊端,因此适合于太阳电池工业批量生产。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 光吸收 复合 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿光吸收复合层,其特征在于,该钙钛矿光吸收复合层由多个钙钛矿单层自下而上逐层沉积而成,每一钙钛矿单层有固定的吸收带隙宽度,从最上单层至最下单层,吸收带隙宽度逐层减小;所述每个钙钛矿单层为相同种类钙钛矿分子或不同种类钙钛矿分子;所述的单层钙钛矿薄膜的吸收带宽为0.8~4.8eV。
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