[发明专利]一种钙钛矿光吸收复合层、钙钛矿太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201610076596.2 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN105591032A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 魏一;刘爱民;李平;王宇轩;黎晓璇 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉;潘迅 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种钙钛矿光吸收复合层的制备方法。该复合层是将具有不同带宽的钙钛矿单层,按吸收带隙宽度逐层增大的顺序的自下而上逐层沉积而形成的一个光吸收复合层。由于该复合层在很宽的光谱范围内对光子有较强的光子收集能力,含有这种复合层的钙钛矿太阳电池的转换效率会得到明显的提高。本发明还公开了一种具有光吸收复合层的钙钛矿太阳电池的结构及其制作方法。该电池结构自下而上包括:(1)导电玻璃、(2)电子传输层、(3)钙钛矿光吸收复合层、(4)空穴传输层和(5)顶部导电层。该电池的制备方法简易,成本低。避免了传统叠层电池需要增加子电池带来的工艺复杂、造价昂贵的弊端,因此适合于太阳电池工业批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 光吸收 复合 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿光吸收复合层,其特征在于,该钙钛矿光吸收复合层由多个钙钛矿单层自下而上逐层沉积而成,每一钙钛矿单层有固定的吸收带隙宽度,从最上单层至最下单层,吸收带隙宽度逐层减小;所述每个钙钛矿单层为相同种类钙钛矿分子或不同种类钙钛矿分子;所述的单层钙钛矿薄膜的吸收带宽为0.8~4.8eV。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610076596.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:耐热微孔膜和电池隔膜
- 下一篇:一种光学元件加工中心
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择