[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610076318.7 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105529275A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 闫梁臣;袁广才;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L21/203;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云;聂稻波 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管制造方法包括：采用直流溅射法在基板上沉积金属薄膜层的步骤；将所述金属薄膜层中的金属完全氧化或者部分氧化形成金属氧化物薄膜层的步骤。薄膜晶体管具有紧密结合的栅极层和栅极绝缘层。本发明的薄膜晶体管的制造方法使得采用直流溅射制备薄膜晶体管变为可能，使用该方法制备得到的薄膜晶体管具有紧密结合的栅极层和栅极绝缘层，从而改善了绝缘效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，包括：采用直流溅射法在基板上沉积金属薄膜层的步骤；将所述金属薄膜层中的金属完全氧化或者部分氧化形成金属氧化物薄膜层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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