[发明专利]一种用于芯片级封装的肖特基芯片的制造方法

摘要

本发明提供了一种用于芯片级封装的肖特基芯片的制造方法，该肖特基芯片的制造步骤包括：硅衬底准备及硅外延层形成；通过热氧化或/和化学气相沉积在硅外延层表面沉积二氧化硅层；贯穿硅外延层的沟槽形成步骤；在沟槽内填充导电多晶硅作为沟槽填充物；离子注入法形成肖特基电极的保护环；通过化学气相沉积法沉积一层二氧化硅，同时利用氧化时高温作用，进行注入离子的热扩散；以及势垒金属及顶层金属形成步骤。本发明制造的肖特基芯片，将两个电极设置在硅外延层的同一主表面上，达到了芯片级封装要求封装器件具有近似半导体管芯的尺寸需求。

主权项

一种用于芯片级封装的肖特基芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：一）硅衬底（2）准备步骤；所述硅衬底具有第一导电类型；二）硅外延层（3）形成步骤；所述硅外延层具有第一导电类型；三）绝缘层部分形成步骤：通过热氧化或/和化学气相沉积在硅外延层表面沉积二氧化硅层；四）沟槽形成步骤：通过干法刻蚀在硅衬底的前表面和硅外延层的前表面之间形成欧姆电极的若干沟槽，沟槽贯穿硅外延层；五）填充多晶硅步骤：在所述沟槽内填充导电多晶硅作为沟槽填充物（61）；所述导电多晶硅具有第一导电类型；六）在肖特基电极周围，离子注入法形成肖特基电极的保护环（41）；注入形成的肖特基电极保护环具有第二导电类型，与第一导电类型相反；七）绝缘层另一部分形成及离子扩散步骤：通过化学气相沉积法沉积一层二氧化硅作为绝缘层另外一部分即三次氧化层（73），在三次氧化层生长的同时，利用氧化时高温作用，进行步骤（六）完成的注入离子的热扩散；八）势垒金属及顶层金属形成步骤：该步骤中，完成势垒金属的形成，从而在阳极形成势垒金属和硅外延层的肖特基接触；该步骤中，还完成顶层金属阳极金属和阴极联接金属的形成，分别形成肖特基电极（4）和欧姆电极（6）。