[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置，其中的制作方法包括：采用半色调掩膜工艺在金属薄膜上形成具有完全保留区域、半保留区域和完全去除区域的光刻胶层；至少部分的完全保留区域对应于源漏极设置区域中不与有源层设置区域重叠的区域；半保留区域对应于源漏极设置区域与有源区设置区域之间重叠的区域；完全去除区域为除完全保留区域和半保留区域以外的区域；在光刻胶层的覆盖下对金属薄膜进行刻蚀，以形成源漏金属层；去除半保留区域内的光刻胶层；对半导体薄膜进行图案化处理，以形成有源层；去除剩余的光刻胶层。本发明可以解决源漏金属层容易在氧化物半导体的沉积过程以及酸液的湿法刻蚀过程中受到损伤的问题。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成一层金属薄膜；采用半色调掩膜工艺在所述金属薄膜上形成具有完全保留区域、半保留区域和完全去除区域的光刻胶层；至少部分的所述完全保留区域对应于源漏极设置区域中不与有源层设置区域重叠的区域；所述半保留区域对应于所述源漏极设置区域与有源区设置区域之间重叠的区域；所述完全去除区域为除所述完全保留区域和所述半保留区域以外的区域；在所述光刻胶层的覆盖下对所述金属薄膜进行刻蚀，以形成对应于所述完全保留区域和所述半保留区域的源漏金属层；所述源漏金属层包括对应于所述源漏极设置区域的源漏极图形；去除所述半保留区域内的光刻胶层；在所述完全保留区域内的所述源漏金属层被所述光刻胶层覆盖的情况下，形成一层覆盖所述基板、所述光刻胶层和所述源漏金属层的半导体薄膜；对所述半导体薄膜进行图案化处理，以形成有源层；所述有源层包括对应于所述有源层设置区域的有源区图形；去除剩余的所述光刻胶层。