[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610066532.4 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105489762B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 程磊磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，以解决现有技术的OTFT器件以有机聚合物材料制备绝缘层，使得OTFT器件的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。所述有机薄膜晶体管的制备方法，包括在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层；在所述栅极导电层上形成羟基化的第一聚二甲基硅氧烷PDMS膜层，使所述第一PDMS膜层朝向所述栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一二氧化硅SiO2膜层，使所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层；在所述栅极导电层上形成羟基化的第一聚二甲基硅氧烷PDMS膜层，使所述第一PDMS膜层朝向所述栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一二氧化硅SiO2膜层，使所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610066532.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种开关和电子设备
- 下一篇：一种光谱仪焊丝检测连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
