[发明专利]超级结及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610063999.3 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105529363A 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 李昊 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种超级结,电流流动区包含多个平行排列的第一沟槽;终端保护区包括多个环绕于电流流动区周侧的沟槽环;各沟槽环由四条边沟槽和四个角环绕而成;各沟槽环的四个角的位置处相邻的两条边沟槽不连通而呈沟槽断开式结构,使各沟槽环的各位置处沟槽都为直线式结构并消除具有转角的沟槽,从而消除转角沟槽在外延填充时产生的应力缺陷。本发明还公开了一种超级结的制造方法。本发明能减少沟槽填充中产生的缺陷,提高产品的性能和良率。
搜索关键词: 超级 及其 制造 方法
【主权项】:
一种超级结,其特征在于:超级结的中间区域为电流流动区,终端保护区形成于所述电流流动区的周侧;所述电流流动区包含多个平行排列的第一沟槽;所述终端保护区包括多个环绕于所述电流流动区周侧的沟槽环,在俯视面上,各所述沟槽环沿着从所述电流流动区的外侧边缘向外依次交替排列;各所述沟槽环由四条边沟槽和四个角环绕而成;各所述沟槽环的第一边沟槽和第三边沟槽都和所述第一沟槽平行,各所述沟槽环的第二边沟槽和第四边沟槽都和所述第一沟槽垂直;各所述沟槽环的四个角的位置处相邻的两条边沟槽不连通而呈沟槽断开式结构,使各所述沟槽环的各位置处沟槽都为直线式结构并消除具有转角的沟槽,从而消除转角沟槽在外延填充时产生的应力缺陷;所述第一沟槽和所述沟槽环都形成于第一导电类型外延层中,在所述第一沟槽和所述沟槽环的四条边沟槽中都填充有第二导电类型外延层;所述第一导电类型外延层形成于半导体衬底表面;由填充于各所述第一沟槽中的第二导电类型外延层或各所述所述沟槽环的边沟槽中的第二导电类型外延层组成第二导电类型薄层,由相邻的各所述第一沟槽或各所述沟槽环之间所述第一导电类型外延层或组成第一导电类型薄层,所述第一导电类型薄层和所述第二导电类型薄层交替排列组成超级结结构。
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