[发明专利]超级结及其制造方法

权利要求书

1.一种超级结，其特征在于：超级结的中间区域为电流流动区，终端保护区形 成于所述电流流动区的周侧；

所述电流流动区包含多个平行排列的第一沟槽；

所述终端保护区包括多个环绕于所述电流流动区周侧的沟槽环，在俯视面上，各 所述沟槽环沿着从所述电流流动区的外侧边缘向外依次交替排列；

各所述沟槽环由四条边沟槽和四个角环绕而成；各所述沟槽环的第一边沟槽和第 三边沟槽都和所述第一沟槽平行，各所述沟槽环的第二边沟槽和第四边沟槽都和所述 第一沟槽垂直；各所述沟槽环的四个角的位置处相邻的两条边沟槽不连通而呈沟槽断 开式结构，使各所述沟槽环的各位置处沟槽都为直线式结构并消除具有转角的沟槽， 从而消除转角沟槽在外延填充时产生的应力缺陷；

所述第一沟槽和所述沟槽环都形成于第一导电类型外延层中，在所述第一沟槽和 所述沟槽环的四条边沟槽中都填充有第二导电类型外延层；所述第一导电类型外延层 形成于半导体衬底表面；

由填充于各所述第一沟槽中的第二导电类型外延层或各所述所述沟槽环的边沟 槽中的第二导电类型外延层组成第二导电类型薄层，由相邻的各所述第一沟槽或各所 述沟槽环之间所述第一导电类型外延层或组成第一导电类型薄层，所述第一导电类型 薄层和所述第二导电类型薄层交替排列组成超级结结构。

2.如权利要求1所述的超级结，其特征在于：各所述沟槽环的四条边沟槽的宽 度相等且都等于所述第一沟槽的宽度，各所述沟槽环的四条边沟槽的深度相等且都等 于所述第一沟槽的深度。

3.如权利要求2所述的超级结，其特征在于：各所述沟槽环之间的间距相等且 等于各所述第一沟槽的间距。

4.如权利要求1或2或3所述的超级结，其特征在于：在各所述沟槽环的四个 角的位置处相邻的两条边沟槽的不连通宽度为各所述沟槽环之间的间距的0.5倍～5 倍。

5.如权利要求4所述的超级结，其特征在于：在各所述沟槽环的四个角的位置 处相邻的两条边沟槽的不连通宽度等于各所述沟槽环之间的间距。

6.如权利要求3所述的超级结，其特征在于：最外侧的所述第一沟槽和最内侧 的所述沟槽环的第一边沟槽或第三边沟槽的间距等于各所述第一沟槽的间距。

7.如权利要求3所述的超级结，其特征在于：最内侧的所述沟槽环的第二边沟 槽或第四边沟槽和各所述第一沟槽的顶端边缘之间的间距等于各所述第一沟槽的间 距。

8.如权利要求1所述的超级结，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底，所述 第一导电类型外延层为第一导电类型硅外延层，所述第二导电类型外延层为第二导电 类型硅外延层。

9.如权利要求1至3或5至8中任一权利要求所述的超级结，其特征在于：第 一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者，第一导电类型为P型，第二导电类 型为N型。